Pustaka Ilmiah Universitas Padjadjaran

Abstrak

Pengaruh Dopan Terhadap Konduktivitas dan Stuktur Elektronik Poli(heksil tiofen)

Poli(3-hcksil tiofen) mcntpakan polimer terkonjugasi yang memiliki sifat optik dan listrik yang menarik dan memiliki potensi aplikasi sebagai bahan solar sel, fotodioda dan transistor orgabik. Untuk kepentingan aplikasi tersebut. diperlukan bahan polimer dengan tingkat konduksi listrik tertentu, yang besarnya dapat dikontrol melalui proses doping. Dalam penelitian ini dilakukan studi doping poli(3-heksil tiofen) dengan mcnggunakan dopant perklorat (HC104) dan dianalisis pengaruhnya terhadap konduktivitas dan struktur elektronik bahan yang bersangkutan. Konduktivitas bahan yang diukur dengan teknik four line probe menunjukkan adanya pcningkatan karena pengaruh dopant. Selain itu, hasil pengukuran dengan spektroskopi UV- Vis menunjukkan konsentrast dopan mempcngaruhi spektrum bahan poli(3-heksil tiofen). Konsentrasi dopani yang tinggi besar dari 0,25 M) menimbulkan puncak absorpsi baru pada panjang gelombang 750 nm. yang diinterprctasikan scbagai munculnya pita (magi baru diantara band gap.

Poly(3-hexyl tiophene) is a conjugated polymer exhibits interesting optical and electrical properties and shows potential applications as active material for solar cell, photodiode and organic transistor. For applications, it is required material with a certain conduction level that can be controlled via doping process. In this study, we explore doping process of poly(hex yltiophene) using perchlorate (HC104) dopants and examine its effects on an electrical conductivity and an electronics structure. The conductivity of poly(3-hexyl thiophene) measured by using four line probe technique was increased by addition of dopant concentration. Besides, measurement result by employing UV-Vis spectroscopy show that level of dopant concentration determine spectra shape. High dopant concentration (more than 0.25 M) cause a new absorption peak around 750 nm, that interpreted as a new absorption band located in the band gap.