Arsip Silicon carbide
Subsurface And Interface Channeling Of keV Ions In Graphene/SiC
Using molecular-dynamics simulation, we study the impact of 3 keV ...
Informasi
Untuk informasi lebih lanjut silakan hubungi kami menggunakan halaman kontak
Using molecular-dynamics simulation, we study the impact of 3 keV ...
Untuk informasi lebih lanjut silakan hubungi kami menggunakan halaman kontak